High and Balanced Hole and Electron Mobilities from Ambipolar Thin-Film Transistors Based on Nitrogen-Containing Oligoacences

以有机半导体材料为有源层构筑的有机互补电路具有功耗低、工作速度快、抗干扰能力强等优点，可广泛用于各种有机数字电路，有机显示器件等领域。设计合成具有高迁移率、高开关比、高稳定性和低阈值电压的有机半导体材料具有重要意义和实用价值。张浩力教授研究小组将N原子引入并五苯骨架，通过调节其LUMO和HOMO能级，将并五苯这个经典的p-型半导体材料转变为同时具有p-型和n-型的双极性有机半导体材料。该工作发表在近期的美国化学会志上(J. Am. Chem. Soc. 2010, 132 (46), 16349–16351)。